长江存储3D NAND装机仪式启动

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身为国家存储器项目首发基地的长江存储,4月11日在武汉厂正式举行装机典礼。这座武汉新厂房的启动,也代表国内实现3D NAND量产的全新起点,对中国半导体产业极具里程碑意义。

紫光集团在武汉、南京、成都三地皆具备12寸晶圆厂,率先启动的是武汉基地。紫光集团董事长、长江存储董事长赵伟国指出,武汉长江存储基地将募资800亿人民币,金额已经全数到位,今年可进入小规模量产,明年进入128Gb的3D NAND在64层技术的研发。业内人士认为,现在的NAND Flash大厂如三星电子、美光、东芝、SK 海力士主流的3D NAND技术是64层和72层,虽然今、明两年将跨入96层技术,但这个技术门槛十分高,要进入大量生产需要一些时间,如果紫光在64层3D NAND技术如期研发成功,那国内自主存储技术的脚步将更为坚定。

事实上,长江存储的武汉基地第一期生产线进度十分快速,2017年9月已提前封顶,2017年11月长江存储第一颗32层3D NAND芯片宣布成功量产。赵伟国强调,除了武汉的长江存储基地所需800亿人民币到位,另两大基地成都、南京也会各自会再投入500亿元,加上紫光正和重庆市政府、大基金等成立注册资本1000亿元的新公司,五年备妥3700亿元的资金要把芯片产业建起来,这是个大战略布局。

责任编辑:实习编辑 韩婉洁

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