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中科院成功自主研制出6英寸碳化硅单晶衬底

2014-12-09 10:57:32 中国科学报 彭科峰

碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓的晶格失配小,SiC单晶是氮化镓基LED、肖特基二极管等器件的理想衬底材料。为降低器件成本,下游产业对SiC单晶衬底提出了大尺寸的要求,目前国际市场上已有6英寸产品,预计市场份额将逐年增大。

中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)先进材料与结构分析实验室陈小龙研究组长期从事SiC单晶生长研究工作,团队人员通过自主创新和探索,获得了SiC单晶生长设备、晶体生长和加工技术等一整套自主知识产权。

2014年11月,团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作,成功解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术,研制出了6英寸SiC单晶衬底。拉曼光谱测试表明生长出的SiC晶体为4H晶型。这一成果标志着物理所的SiC单晶生长研发工作已达到国际先进水平。6英寸SiC单晶衬底的研发成功,为高性能SiC基电子器件的国产化提供了材料基础。

责任编辑:李美静